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闪存存储的价格为何迟迟不降?原因在这

        机械硬盘的容量正在继续增长,每GB的价格正在呈现下降的趋势,这要感谢机械硬盘的很多创新,SMR与HAMR技术让磁盘的容量越来越大,氦气硬盘的出现很好的满足了存储空间大的需求。

 
       但对于闪存存储再来,其最大的问题是否有创新来驱动闪存制造商的成本降低,容量增加。从而使闪存存储在未来可以实现大批量的存储。
 
       好消息是,有三个重要的技术创新让闪存能够跟上机械硬盘价格下降的趋势,下面就让我们看一下这三种技术。
 
   存储TLC
 
       首先这个创新是围绕cell的创新,并涉及闪存存储数据的方式。
 
       闪存是由存储单元(cells)组成,每一个都具有能够保持电荷的浮动栅极晶体管。该晶体管的状态决定该单元被存储的数据。目前,有不同种类型的闪存,包括SLC,MLC和企业级的EMLC等。
 
       SLC是最简单的Flash技术,SLC每个存储单元只能存储一个数据,优点是传输速度更快,功率消耗更低和存储单元的寿命更长。然而,由于每个存储单元包含的信息较少,其每百万字节需花费较高的成本来生产。
 
  MLC是比SLC更为复杂,因为每个单元的晶体管可容纳四个不同级别的电荷,允许两个比特被存储在细胞中。写入速度为MLC比SLC要慢。由于这些原因的MLC倾向于在消费设备中,而不是昂贵的企业级硬件被使用。
 
  由于MLC比SLC便宜得多,厂家想出了EMLC的概念,被设计为多级单元闪存,并且如同SLC一样坚硬耐磨,使之更适合企业环境。EMLC和标准MLC之间的主要区别就是,在硬件控制器来管理闪存单元的固件写入单元更“温和”。这导致(MLC)的比之前拥有三倍耐力。
 
       TLC是一种新兴的技术,每个存储单元能够存储三个比特数据,这意味着其能够存储更多的数据,这非常符合现在大数据时代对容量的需求。但是TLC也有缺点,就是速度和耐久性。但令人心奋的是只要弥补这些缺点,TLC将带来更大容量的存储闪存。
 
 
 

 


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